em 8 de maio, a samsung electronics anunciou que redesenhou o tim do processador exynos 2600 utilizado na série s26. o exynos 2600 agora adota a tecnologia de encapsulamento moldado hpb (heat path block), resultando em uma mudança na forma física do chip. o hpb refere-se a uma estrutura na qual um dissipador de calor de cobre com alta condutividade térmica é montado sobre o chip e, em seguida, encapsulado com um composto epóxi moldável. o emc é o material de moldagem usado no encapsulamento de semicondutores para proteger e selar o chip.
o tim tridimensional, combinado com o hpb, oferece desempenho térmico significativamente superior em comparação com a geração anterior. um representante da samsung electronics explicou: “o tim 3d consegue dispersar amplamente o calor e garantir uma dissipação térmica equilibrada tanto pela face frontal quanto pela traseira, protegendo assim os componentes internos enquanto mantém um desempenho consistente do ap.” o nome ‘tim taylor’ deriva de sua abordagem de processamento sob medida — adaptando precisamente o tim às diferenças de altura e degraus de cada componente montado na placa de circuito impresso (pba).
além do ap, a samsung electronics também está desenvolvendo soluções térmicas para a pba. À medida que a dissipação de calor do ap aumenta, já não basta lidar apenas com a interface térmica entre o chip e o dissipador; a gestão térmica deve considerar também os desafios de dissipação de calor impostos pelo material de preenchimento inferior entre o chip e a pba. um representante da samsung electronics afirmou: “dedicamos dois anos à pesquisa e ao desenvolvimento de um material de preenchimento inferior termicamente condutor”, que envolve incorporar condutividade térmica a um material de preenchimento epóxi. esse material está previsto para produção em massa num futuro próximo.
as temperaturas máximas superficiais do modelo padrão s26 e do modelo s26 ultra equipados com o exynos 2600 agora estão em níveis similares. anteriormente, o modelo ultra apresentava vantagem na gestão térmica graças à maior área do dissipador de calor. o tim taylor 3d foi introduzido pela primeira vez na série s25. antes disso, utilizava-se um tim 2d plano, feito principalmente de silício; porém, o silício tende a retornar à sua forma original, de modo que, mesmo quando moldado em uma estrutura tridimensional, ainda deixa pequenos degraus.
para resolver esse problema, a samsung electronics combinou materiais de mudança de fase (pcm) com polímeros de borracha (sebs). o pcm passa do estado sólido para um estado gelatinoso ou até líquido quando aquecido, enquanto a adição de sebs impede que o pcm se liquefaça completamente e escorra. após ser moldado em uma estrutura tridimensional por meio de um processo de prensagem a quente, o tim taylor pode cobrir as regiões de borda de alta fonte de calor da estrutura de encapsulamento do pacote. em comparação com o tim 2d, a área efetiva de contato do tim taylor aumenta em cerca de 118%; a área efetiva de contato dos componentes de gerenciamento de energia (dc/ics), que antes era zero, passa para 78,8%, e para a memória flash móvel de alta velocidade (ufs) chega a 41,4%.
de acordo com os resultados dos testes internos da samsung electronics, em comparação com o tim 2d, a temperatura do chip do ap diminui em 1,18 °c, e a temperatura da superfície traseira do produto reduz-se em 0,73 °c. um representante da samsung electronics acrescentou: “embora uma redução de cerca de 1 °c pareça pequena, os smartphones operam em espaços extremamente confinados, onde a gestão térmica precisa levar o desempenho ao limite.”
