【notícias de tecnologia gizevo】a samsung está acelerando a implantação da tecnologia de memória de alta largura de banda (hbm) em dispositivos móveis, buscando alcançar uma atualização significativa na largura de banda de memória e no poder de computação de ia, mesmo sob rígidas restrições de espaço e consumo de energia, abrindo caminho para aplicações de ia de última geração diretamente no dispositivo, como inferência local de grandes modelos e processamento multimodal em tempo real.
as soluções convencionais de dram atualmente utilizadas em smartphones e tablets populares ainda dependem da solda por fios de cobre, com o número de interfaces de entrada/saída geralmente limitado entre 128 e 256. essa abordagem já atingiu os limites físicos em termos de expansão da largura de banda, otimização da integridade do sinal e gestão térmica.
para superar essas limitações, a samsung está realizando uma reengenharia profunda, voltada para dispositivos móveis, dos princípios da hbm de nível servidor — combinando pilares de cobre de altíssima relação de aspecto (15:1 a 20:1) com a embalagem de nível de wafer de saída em leque (fowlp) para criar uma arquitetura de memória empilhada verticalmente, adequada a corpos compactos de dispositivos. essa tecnologia já passou por validação preliminar no soc exynos 2600, focando em melhorar a eficiência da dissipação térmica e a estabilidade de desempenho sob cargas elevadas contínuas; agora está sendo ampliada para o subsistema de memória, com o objetivo de resolver o gargalo do “último centímetro” no fluxo de dados de ia.
detalhes técnicos revelam que a samsung adota de forma inovadora uma estrutura hierárquica de empilhamento de chips, integrando múltiplas camadas de chips dram dentro de uma espessura restrita, ao mesmo tempo em que utiliza pilares de cobre de precisão para preencher os espaços entre as camadas, aumentando significativamente a densidade de interconexão por unidade de volume. em comparação com as anteriores relações de 3:1 a 5:1 entre os pilares de cobre, a nova geração não apenas multiplica a densidade de largura de banda, mas também expande as áreas de conexão externamente por meio do fowlp, melhorando a robustez mecânica e elevando substancialmente o número de entradas/saídas disponíveis, com a largura de banda total prevista para crescer cerca de 30%.
vale ressaltar que pilares de cobre ultrafinos (com diâmetros inferiores a 10 micrômetros) são suscetíveis a deformações ou fraturas, representando desafios à produtividade de fabricação e à confiabilidade a longo prazo. os caminhos de roteamento redundantes e os mecanismos de alívio de tensões proporcionados pela embalagem de saída em leque funcionam como soluções de suporte cruciais, garantindo que pilhas de alta densidade permaneçam estáveis e confiáveis mesmo em condições reais, como quedas e variações de temperatura.
embora ainda não tenha sido anunciado um cronograma específico para a implementação comercial, analistas do setor acreditam, em geral, que essa tecnologia poderá ser adotada inicialmente nas plataformas flagship de próxima geração, exynos 2800 ou exynos 2900. ao mesmo tempo, a apple estaria avançando paralelamente em seus próprios planos de integração de hbm em dispositivos móveis, sinalizando que, a partir de 2026, a competição pelo desempenho de ia no próprio dispositivo entrará oficialmente na “era da memória de alta largura de banda”.
