em 29 de maio, a samsung electronics entregou oficialmente amostras de engenharia de sua memória de alta largura de banda de última geração, a hbm4e com 12 camadas, a clientes de primeira linha em todo o mundo. como uma evolução aprimorada da hbm4, a hbm4e é profundamente otimizada para cenários extremamente intensivos em largura de banda, como treinamento de modelos de grande porte, inferência e centros de supercomputação de ia, marcando uma nova etapa na tecnologia de memória de alta largura de banda que equilibra eficiência energética e densidade.
em termos de desempenho, a hbm4e eleva a taxa de dados por pino até um máximo de 16 gbps, uma melhoria superior a 20% em comparação com a hbm4 padrão. sua largura de banda de pilha única atinge 3,6 tb/s, atendendo perfeitamente aos exigentes requisitos dos chips aceleradores de ia de próxima geração para acesso em tempo real a parâmetros massivos. quanto à capacidade, a oferta inicial é de 48 gb com 12 camadas, com variantes adicionais — 32 gb (8 camadas) e 64 gb (16 camadas) — a serem lançadas conforme a demanda, adaptando‑se flexivelmente às necessidades de implantação em toda a cadeia, desde servidores de ia de borda até grandes data centers em nuvem.
nos níveis de processo e embalagem, a hbm4e mantém a combinação avançada da samsung, já validada pela produção em massa: constrói o array de memória utilizando a tecnologia dram de sexta geração, classe 10 nm (1c), e integra um chip lógico de 4 nm desenvolvido internamente. ao reestruturar a arquitetura de gerenciamento de energia e otimizar a densidade das interconexões tsv, o consumo total de energia é reduzido em 16%, e a resistência térmica diminui em mais de 14%, aliviando significativamente os desafios de gestão térmica sob cargas contínuas de alto volume de trabalho de ia e elevando os limites de estabilidade do sistema e de eficiência energética a longo prazo.
É importante destacar que a samsung iniciou a produção em massa da hbm4 em fevereiro deste ano, com a capacidade produtiva atualmente em rápida expansão. À medida que as amostras da hbm4e entram na fase de validação pelos clientes, o ritmo da produção em massa será estreitamente alinhado aos ciclos de adoção dos fabricantes de chips de ia e dos clientes oem. segundo sang‑jun hwang, vice‑presidente de desenvolvimento do negócio de memória da samsung, a bem‑sucedida produção em massa da hbm4 não apenas consolidou a capacidade da empresa de levar essa tecnologia ao mercado, mas também estabeleceu um canal de iteração acelerada para a hbm4e e para as próximas gerações. anteriormente, em dezembro do ano passado, a hbm4 obteve a mais alta classificação de desempenho do setor em testes de pacotes em nível de sistema, registrando uma taxa de dados efetiva de 11,7 gbps, confirmando assim a superioridade e a confiabilidade de sua arquitetura subjacente.
